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学术交流

2016年全国光机电技术及系统学术会议特邀报告之三:可见光LED技术新进展

来源:物理科学与技术学院  

报告题目:可见光LED技术新进展

报告人:江风益 教授

报告时间:2016年10月15日(星期六)上午11:20-12:00

报告地点:桂林市山水大酒店(桂林市七星区七星路48号)

主办单位:广西师范大学物理科学与技术学院、中国电子科技集团公司第三十四研究所和广西光学学会

报告摘要:在可见光LED范围内,红橙黄绿青蓝紫七彩光均已研制成功并实现了产业化和商品化,为人工制造五彩缤纷的新视觉新光源提供了源头技术。目前七彩LED,随着色彩的不同,其发光效率(电光转换功率效率)差异很大,其中蓝紫光和红光效率很高,绿光和黄光效率较低,这种现象被称为“绿光鸿沟(Green Gap)”。所以,才会有LED的鼻祖尼克·何伦亚克称“LED仍处于婴儿期”。

LED照明经过近20多年的高速发展已经由单独追求光效向全面追求光品质转变。现有的LED白光是通过蓝光LED激发荧光粉获得的,虽然光电转换效率已远超白炽灯和日光灯,但光品质还有很大的提升空间,主要表现在显色指数、色温和光效之间要协调发展,同时还要避免短波长蓝光比例过高而带来的视觉安全问题。采用多色高效率LED(如红、黄、绿、蓝)合成全光谱白光可满足以上要求。其中,最具挑战的是高光效黄光LED制造技术的突破。

报告本单位最近在硅衬底GaN基黄光LED材料生长和芯片制造方面所取得的重要进展。在电流密度20A/cm2驱动下,黄光(565nm)LED电光转换功率效率已达20%,流明效率达到120lm/w;加之,目前国际一流水准的转换效率高达60%的蓝光,30%的绿光和50%的红光,无荧光粉的纯LED照明时代的曙光即将来临。

报告人简介:

    江风益,男,1963年出生,南昌大学教授,国家硅基LED工程技术研究中心主任,从事半导体发光材料与器件研发和生产工作20年,主持完成的“硅衬底高光效GaN 基蓝色发光二极管”项目获得2015年度国家技术发明奖一等奖。

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